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UM6J1NTN詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 200mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：30pF @ 10V; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：UMT6; 包裝：Digi-Reel®

UM6J1NTN詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 200mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：30pF @ 10V; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：UMT6; 包裝：剪切帶 (CT)

UM6J1NTN詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：200mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.4 歐姆 @ 200mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：30pF @ 10V; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：UMT6; 包裝：帶卷 (TR)

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