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TPS1120D詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Texas Instruments; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：15V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：840mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC; 包裝：管件

TPS1120DG4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Texas Instruments; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：15V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：840mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC; 包裝：管件

TPS1120DR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Texas Instruments; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：15V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：840mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC; 包裝：剪切帶 (CT)

TPS1120DR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Texas Instruments; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：15V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：840mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC; 包裝：帶卷 (TR)

TPS1120DR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Texas Instruments; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：15V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：840mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC; 包裝：Digi-Reel®

TPS1120DRG4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Texas Instruments; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：15V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：5.45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：840mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC; 包裝：帶卷 (TR)

TPS-10
保險(xiǎn)絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 盒，非標(biāo)準(zhǔn) FUSE TELPOWER 10A 170VDC
TRR01MZPF1502
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0402（1005 公制） RES 15.0K OHM 1/16W 1% 0402 SMD
TAC475K050P06
鉭 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 軸向 CAP TANT 4.7UF 50V 10% AXIAL
TRR01MZPF15R0
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0402（1005 公制） RES 15.0 OHM 1/16W 1% 0402 SMD
TPS1100PWRG4
FET - 單 Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP
SU3000RTXR3U
UPS系統(tǒng) Tripp Lite UPS 3KVA 2400W 9OUT RACK MOUNT
TA35-CZZ11
配件 Schurter Inc COVER AND COLLAR 1POLE IP65
TACA107M004XTA
鉭 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP TANT 100UF 4V 20% 1206
TRR01MZPJ100
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0402（1005 公制） RES 10 OHM 1/16W 5% 0402 SMD
SU30KMBP
箱 Tripp Lite BREAKER BOX BYPASS FOR SU30K3/3
TA35-CZZ21
配件 Schurter Inc COVER AND COLLAR 2POLE IP65
TACA476M006RTA
鉭 AVX Corporation 1206（3216 公制） CAP TANT 47UF 6.3V 20% 1206
TRR01MZPJ245
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0402（1005 公制） RES 2.40M OHM 1/16W 5% 0402 SMD
TPS2000CDGNR
PMIC - 電源分配開關(guān) Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸露焊盤 IC PWR SW USB 2.87A 1CH 8MSOP
SUB16396
RF配件 Laird Technologies IAS ACCY SUB MISC SHOCK SPRING

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