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TPCF8102(TE85L)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 6A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：VS-8（2.9x1.9）; 包裝：帶卷 (TR)

TPCF8102(TE85L)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 6A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：VS-8（2.9x1.9）; 包裝：剪切帶 (CT)

TPCF8102(TE85L,F)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 6A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：VS-8（2.9x1.9）; 包裝：Digi-Reel®

TPCF8102(TE85L,F)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 6A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：VS-8（2.9x1.9）; 包裝：剪切帶 (CT)

TPCF8102(TE85L,F)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 6A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：VS-8（2.9x1.9）; 包裝：帶卷 (TR)

TPCF8102(TE85L,F,M詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：VS-8（2.9x1.9）; 包裝：帶卷 (TR)

UPB1507GV-A
RF 其它 IC 和模塊 CEL 8-LSSOP（0.126"，3.20mm 寬） MMIC PRESCALER 3GHZ 8-SSOP
TC86P-1-204
微調器 Bourns Inc. 44-LCC（J 形引線） TRIMMER 200K OHM 0.3W TH
TPCF8101(TE85L,F,M
FET - 單 Toshiba 8-SMD，扁平引線 MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
TPS2044ADR
PMIC - 電源分配開關 Texas Instruments 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC QUAD PWR DIST SWITCH 16SOIC
V24B48E150B2
DC DC Converters Vicor Corporation 模塊 CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W
TPS62170DSGR
PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盤 IC REG BUCK SYNC ADJ 0.5A 8WSON
TPCF8102(TE85L,F)
FET - 單 Toshiba 8-SMD，扁平引線 MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
UPB1507GV-E1-A
RF 其它 IC 和模塊 CEL 8-LSSOP（0.126"，3.20mm 寬） MMIC PRESCALER 3GHZ 8-SSOP
TPS2045ADRG4
PMIC - 電源分配開關 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC 500MA PWR DIST SWITCH 8-SOIC
TPS2046BDR
PMIC - 電源分配開關 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DUAL PWR DIST SWITCH 8SOIC
V24B48E150B2
DC DC Converters Vicor Corporation 模塊 CONVERTER MOD DC/DC 48V 150W
TPS62170DSGT
PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盤 IC REG BUCK SYNC ADJ 0.5A 8WSON
TPCF8104(TE85L)
FET - 單 Toshiba 8-SMD，扁平引線 MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
UPB1509GV-EVAL
過時/停產零件編號 CEL EVAL BOARD FOR UPB1509GV
TC86W-1-105
微調器 Bourns Inc. 44-LCC（J 形引線） TRIMMER 1M OHM 0.3W TH

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