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TPC8A01(TE12L)詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A，8.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）; 包裝：Digi-Reel®

TPC8A01(TE12L)詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A，8.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）; 包裝：帶卷 (TR)

TPC8A01(TE12L)詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A，8.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）; 包裝：剪切帶 (CT)

TPC8A01(TE12L,Q)詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A，8.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）; 包裝：剪切帶 (CT)

TPC8A01(TE12L,Q)詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A，8.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）; 包裝：帶卷 (TR)

TPC8A01(TE12L,Q)詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8.5A/6A 8-SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A，8.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 10V; 功率_最大：750mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）; 包裝：Digi-Reel®

TPC8407,LQ(S
FET - 陣列 Toshiba 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 30V 8SOP
TC2030-DEMO-BAREBOARD
配件 Tag-Connect LLC SC-74A，SOT-753 BOARD DEMO TC2030 PCB UNPOPULTD
TNPW120648R7BETA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 48.7 OHM 1/4W 0.1% 1206
TPC8408,LQ(S
FET - 陣列 Toshiba 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 40V 8SOP
TO103J2KRA
熱敏電阻 - NTC US Sensor TO-220-2 THERMISTOR NTC 10KOHM 10% TO-220
TC2030-MCP
配件 Microchip Technology SC-74A，SOT-753 CABLE TAG-CONNECT IN-CIRCUIT LEG
TNPW2010200KBEEF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 200K OHM .40W 0.1% 2010
TNPW120649K9BEEN
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 49.9K OHM 1/4W 0.1% 1206
TO-11-040H
電路板襯墊，支座 Bivar Inc TO-220-2 SPACER WASHAWAY
TO-11-050XH
電路板襯墊，支座 Bivar Inc TO-220-2 SPACER WASHAWAY
TC2030-MCP-10
配件 Tag-Connect LLC SC-74A，SOT-753 CABLE IN-CIRCUIT 10" W/LEGS
TPC8A02-H(TE12L,Q)
FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH SBD 16A SOP8 2-6J1B
TNPW2010200KBETF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 200K OHM .40W 0.1% 2010
TO-116-030H
電路板襯墊，支座 Bivar Inc TO-220-2 SPACER WASHAWAY
TNPW12064K42BETA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 4.42K OHM 1/4W 0.1% 1206