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TPC8117(TE12L,Q) 全國供應商、價格、PDF資料

TPC8117(TE12L,Q)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）; 包裝：帶卷 (TR)

查看更多TPC8117(TE12L,Q)的供應商

TNPW25122K20BEEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.20K OHM 1/2W 0.1% 2512
TPC8034-H(TE12LQM)
FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
URS1A101MDD
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 100UF 10V 20% RADIAL
TPC8109(TE12L)
FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
USP7766RA
溫度探頭 US Sensor 徑向，Can THERMISTOR NTC 10K 1% PIPE PROBE
TNPW25122K20BETG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.20K OHM 1/2W 0.1% 2512
TNPW12107K50BETA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 7.50K OHM 1/3W 0.1% 1210
URS1A221MDD
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 220UF 10V 20% RADIAL
TPC8109(TE12L,Q,M)
FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH SNGL -30V -10A SOP-8
TNPW25122K21BETG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.21K OHM 1/2W 0.1% 2512
TNPW12107K87BEEA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 7.87K OHM 1/3W 0.1% 1210
USPTL4
其它 B&B Electronics - CONVERTER USB TO RS-422/485
URS1A472MHD
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 4700UF 10V 20% RADIAL
TPC8134,LQ(S
FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP
URS1A682MHD
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 6800UF 10V 20% RADIAL

復制成功！

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