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TPC8012-H(TE12L,Q) 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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TPC8012-H(TE12L,Q)詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 900mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 10V
功率_最大：-
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）
包裝：Digi-Reel®

TPC8012-H(TE12L,Q)詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 900mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 10V
功率_最大：-
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）
包裝：帶卷 (TR)

TPC8012-H(TE12L,Q)供應商

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