|
| |
|
| |
| |
| <![CDATA[<dfn id="d22er"><menu id="d22er"></menu></dfn>]]>|
| |
|
| |
|
SUD50N03-06AP-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：90A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.7 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3800pF @ 15V
- 功率_最大：83W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
SUD50N03-06P-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：84A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3100pF @ 25V
- 功率_最大：88W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
SUD50N03-09P-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：63A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 25V
- 功率_最大：65.2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
SUD50N03-09P-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：63A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.5 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 25V
- 功率_最大：65.2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
SUD50N03-11-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 25A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1130pF @ 25V
- 功率_最大：62.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
SUD50N03-12P-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 30V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V
- 功率_最大：46.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Toshiba 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 寬） IC INVERTER SCHMITT 8-SSOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 274K OHM 1/8W 0.1% 0805
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH D-S 30V TO252
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 51.1K OHM 1/10W 0.1% 0603
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Microchip Technology SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 3.3V .1A SOT23-5
- 振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC MEMS 4.096 MHZ 2.5V SMD
- 矩形- 接頭，公引腳 Sullins Connector Solutions 14-DIP CONN HDR 2MM TIN 8POS R/A
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Toshiba 8-SOIC（0.122"，3.10mm 寬） IC GATE OR DUAL 2INPUT 8-SOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 51.1 OHM 1/10W 0.1% 0603
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Microchip Technology SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 5V .1A SOT23-5
- 振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC MEMS 40.000 MHZ 2.5V SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 51.1 OHM 1/10W 0.1% 0603
- 邏輯 - 柵極和逆變器 Toshiba 8-SOIC（0.122"，3.10mm 寬） IC GATE OR DUAL 2INPUT 8-SOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 52.3 OHM 1/10W 0.1% 0603
- 矩形- 接頭，公引腳 Sullins Connector Solutions 14-DIP CONN HDR 2MM TIN 9POS R/A
0755-83200050 
0755-23919407 
