

STX112詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR DARL NPN TO-92
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶體管類型:NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):2A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):2.5V @ 8mA,2A
- 電流_集電極截止(最大):2mA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1000 @ 1A,4V
- 功率_最大:1.2W
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
STX112-AP詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR DARL NPN TO-92
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶體管類型:NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):2A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):2.5V @ 8mA,2A
- 電流_集電極截止(最大):2mA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1000 @ 1A,4V
- 功率_最大:1.2W
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92AP
- 包裝:剪切帶 (CT)
STX112-AP詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR DARL NPN TO-92
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶體管類型:NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):2A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):2.5V @ 8mA,2A
- 電流_集電極截止(最大):2mA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1000 @ 1A,4V
- 功率_最大:1.2W
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92AP
- 包裝:帶盒(TB)
STX117-AP詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS PNP BIPO 100V 2A GP TO-92
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶體管類型:PNP
- 電流_集電極333Ic444(最大):2A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):100V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):2.5V @ 8mA,2A
- 電流_集電極截止(最大):2mA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:1000 @ 1A,4V
- 功率_最大:1.2W
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92AP
- 包裝:帶盒(TB)
STX13003詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR NPN FAST SW HV TO-92
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):400V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 500mA,1.5A
- 電流_集電極截止(最大):1mA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:8 @ 500mA,2V
- 功率_最大:1.5W
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
STX13003-AP詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 400V 1A TO-92AP
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):400V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 500mA,1.5A
- 電流_集電極截止(最大):1mA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:8 @ 500mA,2V
- 功率_最大:1.5W
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92AP
- 包裝:帶盒(TB)
- FET - 陣列 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC
- TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AB,SMC TVS 1500W 12V BIDIRECT SMC
- 存儲器 Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) IC FLASH 4MBIT 80NS 48TSOP
- PMIC - 監控器 STMicroelectronics 6-TSSOP(5 引線),SC-88A,SOT-353 IC WDT CIRCUIT SOT323-5
- 嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments 38-TSSOP(0.240",6.10mm 寬) IC MCU 16BIT 32K FLASH 38-TSSOP
- TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AA,SMB DIODE TVS 24V 600W UNI 10% SMT
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Microchip Technology 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC MOSFET DVR 3A HS 8SOIC
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB,SMC TVS BIDIRECT 1.5KW 12V 10% SMC
- FET - 單 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
- 嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments 40-VFQFN 裸露焊盤 IC MCU 16BIT 32K FLASH 40-QFN
- TVS - 二極管 Diodes/Zetex DO-214AA,SMB TVS UNI-DIR 24V 600W SMB
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Microchip Technology 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC MOSFET DRIVER 3A HS 8MSOP
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB,SMC TVS 1.5KW BIDIR 12V 5% SMC
- FET - 陣列 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N+P 60V 3A 8-SOIC
- 存儲器 Micron Technology Inc 48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) IC FLASH 4MBIT 80NS 48TSOP