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STS30N3LLH6詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4040pF @ 25V
- 功率_最大：2.7W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：帶卷 (TR)
STS30N3LLH6詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4040pF @ 25V
- 功率_最大：2.7W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：Digi-Reel®
STS30N3LLH6詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4040pF @ 25V
- 功率_最大：2.7W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：剪切帶 (CT)
STS3C2F100詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：N 和 P 溝道
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：145 毫歐 @ 1.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：帶卷 (TR)
STS3DNE60L詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH 60V 3A 8-SOIC
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫歐 @ 1.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13.5nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：815pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：帶卷 (TR)
STS3DPF60L詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 1.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.7nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：630pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：Digi-Reel®
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 2.40K OHM 1/8W 0.1% 0805
- PMIC - 監控器 STMicroelectronics SOT-23-6 IC SUPERVISOR DUAL/TRPL SOT23-6
- FET - 陣列 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 60V 3A 8-SOIC
- 固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR SHIELD PWR 22UH 6028
- 振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC MEMS 19.200 MHZ 3.3V SMD
- 紅外發射器，UV 發射器 Everlight Electronics Co Ltd 2-PLCC LED IR TOP FLAT WATER CLEAR SMD
- 振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC MEMS 64.000 MHZ 2.5V SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 2.74K OHM 1/8W 0.1% 0805
- PMIC - 監控器 STMicroelectronics SOT-23-6 IC SUPERVISOR DUAL/TRPL SOT23-6
- 顯示器模塊 - LED 點陣和簇 Kingbright Corp 4-SMD，無引線（DFN，LCC） LED MATRIX 5X7 2" 565NM GRN
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 60A SO-8
- 振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC MEMS 65.000 MHZ 3.3V SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 2.80K OHM 1/8W 0.1% 0805
- PMIC - 監控器 STMicroelectronics SOT-23-6 IC SUPERVISOR DUAL/TRPL SOT23-6
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Microchip Technology SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 3V 50MA SOT23A-5
0755-82575207 
0755-23914006 
