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STN4NF20L詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：3.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：Digi-Reel®

STN4NF20L詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：3.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：剪切帶 (CT)

STN4NF20L詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：0.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 25V; 功率_最大：3.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

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