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STD8NM60N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 7A DPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 50V; 功率_最大：70W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

STD8NM60N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 7A DPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 50V; 功率_最大：70W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

STD8NM60N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 7A DPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 50V; 功率_最大：70W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

STD8NM60N-1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 7A IPAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 50V; 功率_最大：70W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

STD8NM60ND詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 7A DPAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 50V; 功率_最大：70W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

STD8NM60ND詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 7A DPAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 3.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：560pF @ 50V; 功率_最大：70W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

SSQ-110-03-G-D
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 20POS DUAL GOLD
SMB10J22AHE3/52
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS UNIDIR 1KW 22V 5% SMB
SQCSVA0R2BAT1A
陶瓷 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.2PF 250V 0603
STD878T4
晶體管(BJT) - 單路 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 TRANS BIPO NPN 30V 5A DPAK
ST10F269DT3
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 144-BFQFP MCU 16BIT 256K FLASH 144QFP
SSL-LX3064LID
LED - 分立式 Lumex Opto/Components Inc 徑向 LED T-3MM 635NM IRED DIFF
MS3472W8-98A
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 3POS PIN
SMB10J22HE3/52
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS UNIDIR 1KW 22V 10% SMB
SSQ-110-03-S-D-RA
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 20PS DL R/A GOLD
ST10F273M-4QR3
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 144-BQFP MCU 16BIT 512K FLASH 144-PQFP
MS3472W8-98S
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 3POS FLANGE W/SKT
SMB10J22HE3/5B
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS UNIDIR 1KW 22V 10% SMB
SSQ-110-03-S-S
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 10POS SNGL GOLD
SSL-LX308F4GD
LED - 分立式 Lumex Opto/Components Inc 徑向 LED T-3MM 7.75MM 565NM GRN DIFF
SQCSVA0R4BAT1A
陶瓷 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.4PF 250V 0603

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