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STB20NM50-1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：550V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1480pF @ 25V; 功率_最大：192W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

STB20NM50FDT4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 25V; 功率_最大：192W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

STB20NM50FDT4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 25V; 功率_最大：192W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

STB20NM50FDT4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 25V; 功率_最大：192W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

STB20NM50T4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：550V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1480pF @ 25V; 功率_最大：192W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

STB20NM50T4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：550V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1480pF @ 25V; 功率_最大：192W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

TH3A106K6R3D2700
鉭 Vishay Sprague 1206（3216 公制） CAP TANT 10UF 6.3V 10% 1206
TMK316BJ225KD-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 2.2UF 25V 10% X5R 1206
STEVAL-ILH005V2
評估演示板和套件 STMicroelectronics BOARD & REF DESIGN
T600021804BT
SCR - 單個(gè) Powerex Inc TO-209AB，TO-93-4，接線柱 SCR PHSE CTRL MOD 200V 175A
STB200NF04L
FET - 單 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
TIM156M015P0Y
鉭 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 CAP TANT 15UF 15V 20% RADIAL
TL2845DRE4-8
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BST FLYBK PWM 8SOIC
TH3A106K6R3E2700
鉭 Vishay Sprague 1206（3216 公制） CAP TANT 10UF 6.3V 10% 1206
TMK316F106ZL-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 10UF 25V Y5V 1206
T600081504BT
SCR - 單個(gè) Powerex Inc TO-209AB，TO-93-4，接線柱 SCR PHSE CTRL MOD 800V 150A
TL2845DRG4
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BST FLYBK CM 14SOIC
TIM156M025P0Y
鉭 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 CAP TANT 15UF 25V 20% RADIAL
TH3A106M010F3400
鉭 Vishay Sprague 1206（3216 公制） CAP TANT 10UF 10V 20% 1206
TMK316F225ZG-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1206（3216 公制） CAP CER 2.2UF 25V Y5V 1206
STEVAL-ILL009V3
配件 STMicroelectronics BOARD EVAL MOD OSTAR PROJECTION