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SSM6J207FE(TE85L,F 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SSM6J207FE(TE85L,F詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH SGL 30V 1.4A ES6
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.4A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：251 毫歐 @ 650mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：-
輸入電容333Ciss4440a0Vds：137pF @ 15V
功率_最大：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應商設備封裝：ES6（1.6x1.6）
包裝：剪切帶 (CT)

SSM6J207FE(TE85L,F詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH SGL 30V 1.4A ES6
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.4A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：251 毫歐 @ 650mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：-
輸入電容333Ciss4440a0Vds：137pF @ 15V
功率_最大：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應商設備封裝：ES6（1.6x1.6）
包裝：帶卷 (TR)

SSM6J207FE(TE85L,F詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH SGL 30V 1.4A ES6
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.4A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：251 毫歐 @ 650mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：-
輸入電容333Ciss4440a0Vds：137pF @ 15V
功率_最大：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應商設備封裝：ES6（1.6x1.6）
包裝：Digi-Reel®

SSM6J207FE(TE85L,F供應商

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