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SQR50N06-07L-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SQR50N06-07L-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V TO263; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.6 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5570pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：TO-263（D2Pak）; 包裝：帶卷 (TR)

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復制成功！

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