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SQJ461EP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 60V TO252; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 14.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4710pF @ 30V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）; 包裝：帶卷 (TR)

SQJ461EP-T1-GE3供應商

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陶瓷 Vishay Vitramon 2220（5650 公制） CAP CER 0.039UF 50V 5% NP0 2220
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