SPD50N03S2L 全國供應商、價格、PDF資料
SPD50N03S2L-06詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.4 毫歐 @ 50A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V
- 功率_最大：136W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：PG-TO252-3
- 包裝：剪切帶 (CT)
SPD50N03S2L-06詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.4 毫歐 @ 50A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V
- 功率_最大：136W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：PG-TO252-3
- 包裝：帶卷 (TR)
SPD50N03S2L-06 G詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.4 毫歐 @ 50A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V
- 功率_最大：136W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：PG-TO252-3
- 包裝：Digi-Reel®
SPD50N03S2L-06 G詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.4 毫歐 @ 50A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V
- 功率_最大：136W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：PG-TO252-3
- 包裝：帶卷 (TR)
SPD50N03S2L-06 G詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.4 毫歐 @ 50A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V
- 功率_最大：136W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：PG-TO252-3
- 包裝：剪切帶 (CT)
SPD50N03S2L06T詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.4 毫歐 @ 50A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V
- 功率_最大：136W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：PG-TO252-3
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 390 OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- 邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發器 Texas Instruments 20-VFBGA IC BUS TRANSCVR 3ST DUAL 20BGA
- 邏輯 - 通用總線函數 Texas Instruments 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 寬） IC UNIV BUS TXRX 18BIT 56TSSOP
- 固定式 API Delevan Inc 非標準 INDUCTOR PWR SHIELDED 6.8UH SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 20PF 150V 5% 0605
- 接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 IC LINEFEED INTRFC SI321X 16SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 5.23K OHM 1/16W 1% SMD 0402
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - 螺絲端子 CAP FILM 1UF 1KVAC SCREW
- 邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發器 Texas Instruments 20-UFBGA IC BUS TRANSCVR 3ST DUAL 20BGA
- 邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發器 Texas Instruments 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 寬） IC REGISTERED TRANSCVR 56TSSOP
- 陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 24PF 150V 1% 0605
- 接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc 38-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC PROSLIC W/DC-DC CONV 38TSSOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 5.60K OHM 1/16W 1% SMD 0402
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - 螺絲端子 CAP FILM 1UF 1.5KVAC SCREW
- 邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發器 Texas Instruments 96-LFBGA IC BUFF/DVR TRI-ST 32BIT 96LFBGA
0755-83200050 
