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SPB21N50C3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 560V 21A TO-263; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：560V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 13.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.9V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：208W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

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SPB21N50C3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 560V 21A TO-263; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：560V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫歐 @ 13.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.9V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：208W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：剪切帶 (CT)

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