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SIR880DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 80V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.9 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2440pF @ 40V; 功率_最大：104W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SIR880DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 80V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.9 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2440pF @ 40V; 功率_最大：104W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SIR880DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 80V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.9 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2440pF @ 40V; 功率_最大：104W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

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連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 2POS WALL MNT W/SKTS
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連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 2POS BOX MNT W/PINS
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連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 3 POS STRAIGHT W/PINS
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連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 8POS BOX MNT W/PINS
S1A
單二極管/整流器 Fairchild Semiconductor DO-214AC，SMA DIODE GEN PURPOSE 50V 1A SMA

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