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SIR492DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 12V 40A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：40A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3720pF @ 6V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SIR492DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 12V 40A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：40A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3720pF @ 6V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SIR492DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 12V 40A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：40A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 15A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3720pF @ 6V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SIR492DP-T1-GE3供應商

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