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SIA950DJ-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

SIA950DJ-T1-GE3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH D-S 190V SC-70-6
系列：LITTLE FOOT®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：190V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：950mA
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 歐姆 @ 360mA，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：90pF @ 100V
功率_最大：7W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6 雙
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙
包裝：Digi-Reel®

SIA950DJ-T1-GE3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH D-S 190V SC-70-6
系列：LITTLE FOOT®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：190V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：950mA
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 歐姆 @ 360mA，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：90pF @ 100V
功率_最大：7W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6 雙
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙
包裝：帶卷 (TR)

SIA950DJ-T1-GE3詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH D-S 190V SC-70-6
系列：LITTLE FOOT®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：190V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：950mA
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 歐姆 @ 360mA，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：4.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：90pF @ 100V
功率_最大：7W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6 雙
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙
包裝：剪切帶 (CT)

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