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SIA910EDJ-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SIA910EDJ-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH 12V ESD SC-70-6
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 5.2A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 8V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：455pF @ 10V
功率_最大：7.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6 雙
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙
包裝：Digi-Reel®

SIA910EDJ-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH 12V ESD SC-70-6
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 5.2A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 8V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：455pF @ 10V
功率_最大：7.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6 雙
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙
包裝：帶卷 (TR)

SIA910EDJ-T1-GE3詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET N-CH 12V ESD SC-70-6
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：12V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 5.2A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 8V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：455pF @ 10V
功率_最大：7.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6 雙
供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 雙
包裝：剪切帶 (CT)

SIA910EDJ-T1-GE3供應商

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