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SIA443DJ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 10V; 功率_最大：15W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6; 供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 單; 包裝：剪切帶 (CT)

SIA443DJ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 10V; 功率_最大：15W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6; 供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 單; 包裝：Digi-Reel®

SIA443DJ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 4.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 8V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：750pF @ 10V; 功率_最大：15W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6; 供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 單; 包裝：帶卷 (TR)

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TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-214AC，SMA TVS ZENER 400W 70V SMA
STPS10170CB-TR
二極管，整流器 - 陣列 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 DIODE SCHOTTKY 170V 2X5A DPAK
SI7434DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC
SM4124FT68R1
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引線 RES 68.1 OHM 2W 1% WW 4124
STS4DNF60
FET - 陣列 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 60V 4A 8-SOIC
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