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SI8902EDB-T2-E1詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X3 6-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 980µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-MICRO FOOT?CSP; 供應商設備封裝：6-Micro Foot?; 包裝：剪切帶 (CT)

SI8902EDB-T2-E1詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X3 6-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 980µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-MICRO FOOT?CSP; 供應商設備封裝：6-Micro Foot?; 包裝：帶卷 (TR)

SI8902EDB-T2-E1詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X3 6-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 980µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-MICRO FOOT?CSP; 供應商設備封裝：6-Micro Foot?; 包裝：Digi-Reel®

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