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SI8487DB-T1-E1 全國供應商、價格、PDF資料

SI8487DB-T1-E1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V (D-S) MICROFOOT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2240pF @ 15V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-UFBGA; 供應商設備封裝：4-Microfoot; 包裝：Digi-Reel®

SI8487DB-T1-E1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V (D-S) MICROFOOT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2240pF @ 15V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-UFBGA; 供應商設備封裝：4-Microfoot; 包裝：剪切帶 (CT)

SI8487DB-T1-E1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V (D-S) MICROFOOT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：31 毫歐 @ 2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2240pF @ 15V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-UFBGA; 供應商設備封裝：4-Microfoot; 包裝：帶卷 (TR)

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復制成功！

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