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SI8473EDB-T1-E1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-XFBGA，CSPBGA; 供應商設備封裝：4-Microfoot; 包裝：剪切帶 (CT)

SI8473EDB-T1-E1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-XFBGA，CSPBGA; 供應商設備封裝：4-Microfoot; 包裝：帶卷 (TR)

SI8473EDB-T1-E1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：-; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-XFBGA，CSPBGA; 供應商設備封裝：4-Microfoot; 包裝：Digi-Reel®

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FET - 單 Vishay Siliconix 4-XFBGA，CSPBGA MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
MS3102R20-4PX
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SR155A101KAT
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 100PF 50V 10% RADIAL
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SR155A102JAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1000PF 50V 5% RADIAL
SR275C103KAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10000PF 50V 10% RADIAL
T496D107M006AS
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 100UF 6.3V 20% 2917
SR125A681KARAP2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 680PF 50V 10% RADIAL
MS3102R20-4S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS BOX MNT W/SCKT
SR155A102JAATR1-
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1000PF 50V 5% RADIAL