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» 型號(hào)"SI8435DB-T1-E1"的供應(yīng)信息
SI8435DB-T1-E1 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
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SI8435DB-T1-E1詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:41 毫歐 @ 1A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:6.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-XFBGA,CSPBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-Microfoot
包裝:Digi-Reel®
SI8435DB-T1-E1詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:41 毫歐 @ 1A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:6.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-XFBGA,CSPBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-Microfoot
包裝:帶卷 (TR)
SI8435DB-T1-E1詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:10A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:41 毫歐 @ 1A,4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:6.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-XFBGA,CSPBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:4-Microfoot
包裝:剪切帶 (CT)
SI8435DB-T1-E1供應(yīng)商
SI8435DB-T1-E1
深圳市芯澤盛世科技有限公司
0755-89697985
SI8435DB-T1-E1
深圳市諾洋電子科技有限公司
0755-83223003
SI8435DB-T1-E1
深圳市華斯頓電子科技有限公司
0755-83777708
SI8435DB-T1-E1
深圳市宏世佳電子科技有限公司
0755- 8255602
SI8435DB-T1-E1
深圳市科雨電子有限公司
171-4729-9698
SI8435DB-T1-E1
深圳市金嘉銳電子有限公司
0755-22929859
SI8435DB-T1-E1
北京元坤國際科技有限公司
010-62104931、
SI8435DB-T1-E1
深圳市濤能電子科技有限公司
13537790913
SI8435DB-T1-E1
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
SI8435DB-T1-E1
北京首天偉業(yè)科技有限公司
010-62104931、
SI8435DB-T1-E1
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
查看更多SI8435DB-T1-E1的供應(yīng)商
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