

SI7960DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 9.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7960DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 9.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7960DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 9.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7960DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 9.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7960DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 9.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7960DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.2A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫歐 @ 9.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:75nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W
- FET - 單 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
- FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
- 板至板 - 接頭,插座,母插口 Samtec Inc 塑模盤 CONN RCPT .100" 24POS GOLD PCB
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 75W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
- 板至板 - 接頭,插座,母插口 Samtec Inc 塑模盤 CONN RCPT .100" 24POS GOLD PCB
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 50W
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3