

SI7946DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 3.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 Dual
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7946DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 3.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 Dual
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7946DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 3.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 Dual
- 包裝:Digi-Reel®
SI7946DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 3.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 Dual
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7946DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 3.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 Dual
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7946DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 3.3A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 雙
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 Dual
- 包裝:Digi-Reel®
- 單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-277,3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 10A 45V SMPC
- TVS - 二極管 Bourns Inc. DO-214AC,SMA DIODE TVS 85V 400W BI 5% SMD
- FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DUAL N-CH 100V 8-SOIC
- 鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 0603(1608 公制) FERRITE CHIP 300 OHM 500MA 0603
- 固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR POWER 1.5UH 4.0A SMD
- 固定式 Bourns Inc. 非標準 INDUCTOR POWER 82UH 2.3A SMD
- TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AC,SMA TVS 400W 9.0V UNIDIRECT SMA
- 板至板 - 接頭,插座,母插口 Samtec Inc TO-277,3-PowerDFN CONN RCPT .100" 10POS GOLD T/H
- 嵌入式 - 微控制器, STMicroelectronics 44-LQFP IC MCU 8BIT 8KB FLASH 44LQFP
- 鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 0603(1608 公制) FERRITE CHIP 470 OHM 500MA 0603
- 無源 - 電感器,線圈,扼流圈 Bourns Inc. 非標準 KIT PWR INDUCTOR 2PC EACH
- 固定式 TDK Corporation 非標準 INDUCTOR POWER 6.8UH 2.0A SMD
- 鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 0603(1608 公制) FERRITE CHIP 300 OHM 500MA 0603
- FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 雙 MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC
- LED - 分立式 Lumex Opto/Components Inc 徑向 - 3 引線 LED 2X5MM RECT RED/GRN DIFFBICLR