SI7862ADP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH D-S 16V PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:16V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫歐 @ 29A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:7340pF @ 8V
- 功率_最大:1.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7862ADP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH D-S 16V PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:16V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3 毫歐 @ 29A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:80nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:7340pF @ 8V
- 功率_最大:1.9W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
- 標簽,標記 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON RED 500/PK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603(1608 公制) RES 107 OHM 1/10W .5% SMD 0603
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 16V PPAK 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.22UF 400V 20% RADIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1000PF 500V 5% RADIAL
- 標簽,標記 3M (TC) LABEL 3X4" BLK/RED ON WHT 500/PK
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 27PF 150V 2% 0605
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603(1608 公制) RES 10.5K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.22UF 400V 20% RADIAL
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 120PF 500V 5% RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603(1608 公制) RES 10K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 27PF 150V 5% 0605
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 200PF 300V 5% 1111