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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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SI7860DP-T1 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

SI7860DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 18A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8
包裝：帶卷 (TR)

SI7860DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 18A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
功率_最大：1.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8
包裝：帶卷 (TR)

SI7860DP-T1供應(yīng)商

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