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SI7850DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7850DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7850DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7850DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7850DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7850DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

VJ1808Y222JXPAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 2200PF 250V 5% X7R 1808
VJ1812A750KBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 75PF 630V 10% NP0 1812
SI7848BDP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 40V 47A PPAK 8SOIC
VI-B5R-EX-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 75W
SL0902A090SM
氣體放電管 (GDT) Littelfuse Inc 2-SMD圓柱形方端頭 GAS TUBE GDT 5KA 90V SMD
VI-B3V-MU-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 200W
VI-B3N-MU-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 200W
VJ1808Y222KBGAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 2200PF 1KV 10% X7R 1808
VI-B4B-IW-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 100W
VI-B5R-EX-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 75W
SL0902A090SM
氣體放電管 (GDT) Littelfuse Inc 2-SMD圓柱形方端頭 GAS TUBE GDT 5KA 90V SMD
VJ1808Y222KBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 2200PF 1.5KV X7R 1808
VI-B3N-MU-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 200W
VI-B3V-MV
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 150W
VI-B4B-IY
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 95V 50W