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SI7848BDP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：47A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 20V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7848BDP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 47A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：47A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 20V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7848BDP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 47A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：47A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 20V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7848BDP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 47A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：47A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 20V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7848DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7848DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

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SM-42TB504
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FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK 8SOIC

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