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SI7844DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7844DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7844DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7844DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7844DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7844DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 10A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

VJ1812A750JBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 75PF 100V 5% NP0 1812
VI-B4B-EX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 75W
SI7844DP-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
VI-B3V-IX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 75W
VI-B5R-EW-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 100W
VJ1808Y222JBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 2200PF 1.5KV 5% X7R 1808
SL04-GS08
單二極管/整流器 Vishay Semiconductors DO-219AB DIODE SCHOTTKY 40V 1.1A DO219
VI-B3N-IY-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 50W
VI-B4B-EY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 50W
VI-B3V-IY
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 50W
VI-B5R-EW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 100W
SL05 4R003
涌入電流限制器 (ICL) Ametherm DO-219AB CURRENT LIMITER INRUSH 4 OHM 3A
VJ1808Y222JBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 2200PF 1.5KV 5% X7R 1808
VI-B3N-IY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 50W
VJ1812A750JBGAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 75PF 1KV 5% NP0 1812

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