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SI7818DN-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：135 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7818DN-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：135 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7818DN-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：135 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7818DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：135 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7818DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：135 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7818DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：135 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

MS27656E15B5P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS WALL MNT W/PINS
SML-D12U8WT86
LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） LED 620NM RED WHT/DIFF 0603 SMD
SU2200RTXL2U
UPS系統 Tripp Lite UPS TRUEONLINE 2200VA 1600W 7OUT
SI7818DN-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
MS3106R18-11P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 5POS STRAIGHT W/PINS
SY100EPT23LZI TR
邏輯 - 變換器 Micrel Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TRANSLATOR DUAL 3.3V 8-SOIC
MS3101A20-6S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 3POS FREE HNG W/SCKT
MS27656E15B97S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 12POS WALL MNT W/SCKT
SML-D12V8WT86
LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） LED 630NM RED WHT/DIFF 0603 SMD
SY100EPT28LZG TR
邏輯 - 變換器 Micrel Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TRANSLATOR 3V DIFF 8-SOIC
MS3106R18-11SX
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 5 POS STRAIGHT W/SCKT
SML-D12V8WT86
LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） LED 630NM RED WHT/DIFF 0603 SMD
MS27656E15F18SA
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 18POS WALL MNT W/SCKT
MS3106R18-12P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 6POS STRAIGHT W/PINS
SY100EPT28LZI
邏輯 - 變換器 Micrel Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TRANSLATOR 3V 8-SOIC