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SI7469DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 80V 28A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 10.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 40V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7469DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 80V 28A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 10.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 40V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7469DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 80V 28A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 10.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 40V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7469DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 80V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 10.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 40V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7469DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH D-S 80V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 10.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4700pF @ 40V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

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SHIELD-EKG-EMG
評估板 - 傳感器 Olimex LTD OLIMEX ARDUINIO EKG/EMG SHIELD
SI7465DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK 8SOIC
RT0402DRD07221RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0402（1005 公制） RES 221 OHM 1/16W .5% SMD 0402
SQCAEM101FA1ME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 100PF 150V 1% 0605
SR151A6R8DAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 6.8PF 100V RADIAL
RT0805CRD07953KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 953K OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI4684DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SHIELD-EKG-EMG-PA
配件 Olimex LTD PASSIVE ELECTRODE FOR SHIELD
RTMN-5060
線路濾波器 TDK-Lambda Americas Inc - EMI FILTER 500VAC 60A SCREW TERM
SR151A820GAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 82PF 100V 2% RADIAL
SQCAEM101JAJME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 100PF 150V 5% 0605
RT0805CRD0795R3L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 95.3 OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI4684DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SHIELD-EKG-EMG-PA
配件 Olimex LTD PASSIVE ELECTRODE FOR SHIELD
SR151A820JAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 82PF 100V 5% RADIAL

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