

SI7386DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 19A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7386DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 19A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7386DP-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 19A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7386DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 19A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7386DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 19A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7386DP-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7 毫歐 @ 19A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8
- 包裝:Digi-Reel®
- Thumbwheel Switches APEM Components, LLC SWITCH PUSHWHEEL
- DIP C&K Components 徑向 SWITCH ROTARY SLOT REV HEX DEC
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 11A PPAK 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 39PF 100V 5% RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805(2012 公制) RES 32.4 OHM 1/8W .25% SMD 0805
- FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 82PF 150V 2% 0605
- DIP C&K Components 徑向 SWITCH ROTARY 16POS HEX
- Thumbwheel Switches APEM Components, LLC SWITCH PUSHWHEEL
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805(2012 公制) RES 36.0K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 39PF 100V 10% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 8.2PF 150V 0605
- DIP Copal Electronics Inc SWITCH ROTARY GRAY 10POS SMD
- PTC 可復位保險絲 TE Connectivity 徑向 POLYSWITCH RTE SERIES 1.90A HOLD