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SI7370ADP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 50A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2850pF @ 30V; 功率_最大：69.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7370DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7370DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7370DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7370DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI4686DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
SCE016SD3SS1B
蜂鳴器 Mallory Sonalert Products Inc 矩形接線盒 BUZZ VDC 2.9KHZ 1M DELAY OFF
SI7356ADP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
RNF14BAE43K2
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 43.2K OHM 1/4W .1% AXIAL
RNCP0603FTD6K04
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 6.04K OHM 1/8W 1% 0603 SMD
RNCF1206BKC316K
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 316K OHM 1/8W 0.1% 1206
RNF12FTC422R
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 422 OHM 1/2W 1% AXIAL
SD8328-4R7-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR SHIELDED 4.7UH SMD
SI4688DY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
RNF14BAE4K37
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 4.37K OHM 1/4W .1% AXIAL
RNCF1206BKC332R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 332 OHM 1/8W 0.1% 1206
RNCP0603FTD6K49
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 6.49K OHM 1/8W 1% 0603 SMD
SD8350-101-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR SHIELDED 100UH SMD
RNF12FTC44K2
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 44.2K OHM 1/2W 1% AXIAL
SCE016XD3DP3B
蜂鳴器 Mallory Sonalert Products Inc 矩形接線盒 BUZZ VDC 2.9KHZ SLOW DBL PULSE

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