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SI7137DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.95 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：585nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：20000pF @ 10V; 功率_最大：104W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7137DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.95 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：585nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：20000pF @ 10V; 功率_最大：104W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7137DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.95 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：585nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：20000pF @ 10V; 功率_最大：104W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

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陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 47PF 1.5KV 20% NP0 1210
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