

SI7116DN-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:10.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.8 毫歐 @ 16.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7116DN-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:10.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.8 毫歐 @ 16.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI7116DN-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:10.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.8 毫歐 @ 16.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7116DN-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:10.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.8 毫歐 @ 16.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:帶卷 (TR)
SI7116DN-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:10.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.8 毫歐 @ 16.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:Digi-Reel®
SI7116DN-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:10.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:7.8 毫歐 @ 16.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:PowerPAK? 1212-8
- 供應商設備封裝:PowerPAK? 1212-8
- 包裝:剪切帶 (CT)
- DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模塊(14 引線) CONV DC/DC 2W 12VIN 15VOUT
- FET - 單 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM IP67 4PT OUTPUTS PNP
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊(6 引線) CONV DC/DC 2W 15VIN +/-05VOUT
- 壓力 Honeywell Sensing and Control 4-SIP,雙端口,同側 SENSOR PRESS DIFF 30"H20
- 微調器 Copal Electronics Inc 14-DIP(0.300",7.62mm) TRIMMER 10 OHM 0.25W SMD
- 箱 Hammond Manufacturing 2-SMD BOX ST STEEL 24.3X16X12" NAT
- FET - 單 STMicroelectronics TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 700V 1.6A IPAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM 8PT OUTPUT PNP
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊(6 引線) CONV DC/DC 2W 15VIN +/-09VOUT
- 陶瓷 AVX Corporation 堆棧式 SMD,6 個 J 型接腳 CAP CER 14UF 100V 20% X7R SMD
- 壓力 Honeywell Sensing and Control 4-SIP,雙端口,同側 SENSOR PRES 30PSI DIFF 5V SIP
- 微調器 Copal Electronics Inc 14-DIP(0.300",7.62mm) TRIMMER 1K OHM 0.25W SMD
- DC DC Converters Recom Power 24-DIP 模塊(14 引線) CONV DC/DC 2W 12VIN 15VOUT