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SI6913DQ-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 5.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6913DQ-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 5.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6913DQ-T1-E3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 5.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6913DQ-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 5.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6913DQ-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 5.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6913DQ-T1-GE3詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 5.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：900mV @ 400µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：830mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

RYM22DTBN-S664
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .156
SMAJ150A-13-F
TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 400W 150V SMA
SI6913DQ-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP
RT1206DRE0778K7L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 78.7K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SST11CP15-QUBE
RF 放大器 Microchip Technology 12-UFQFN 裸露焊盤 IC RF PWR AMP 802.11A/N 12UQFN
SI4567DY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
SI32260-C-GM
接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc IC PROSLIC FXS WIDEB -110V 60QFN
SI7611DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8
RYM22DTMN-S664
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .156
SST11CP15-QUBE
RF 放大器 Microchip Technology 12-UFQFN 裸露焊盤 IC RF PWR AMP 802.11A/N 12UQFN
RT1206DRE0778R7L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 78.7 OHM 1/4W .5% SMD 1206
SI-46008-F
模塊 - 帶磁性元件的插座 Stewart Connector 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX G/G
SI7617DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
SI3230M-E-FM
接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc 38-VFQFN 裸露焊盤 IC SLIC PROG 1-CH 38QFN
RYM24DRMD
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS .156 WW