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SI6562DQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A，3.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6562DQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A，3.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6562DQ-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A，3.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6562DQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A，3.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：帶卷 (TR)

SI6562DQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A，3.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：Digi-Reel®

SI6562DQ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.5A，3.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）; 供應商設備封裝：8-TSSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

SI6544BDQ-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N/P-CH 30V 8-TSSOP
VI-B4P-CY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 50W
SJ-3525NG
套管 - 音頻 CUI Inc CONN AUDIO JACK 3.5MM STEREO
VI-B5F-CV-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 150W
VI-B4X-EY
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針有法蘭全磚電源模塊 CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 50W
SI6562CDQ-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-TSSOP
VI-B3L-CU-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 200W
VJ1210A330MXRAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 33PF 1.5KV 20% NP0 1210
VI-B4P-CY-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 50W
VI-B5F-CW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 100W
VI-B4X-EY-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 50W
VI-B3L-CV-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 150W
VJ1210A331JBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 330PF 100V 5% NP0 1210
VI-B0R-CY-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 50W
VI-B4P-CY-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 50W

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