SI5443DC-T1 全國供應商、價格、PDF資料
SI5443DC-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫歐 @ 3.6A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:1206-8 ChipFET?
- 包裝:帶卷 (TR)
SI5443DC-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫歐 @ 3.6A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線
- 供應商設備封裝:1206-8 ChipFET?
- 包裝:帶卷 (TR)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0402(1005 公制) RES 62.6 OHM 1/16W 0.1% 0402
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 15.0K OHM 1/8W 0.1% 0805
- 鉭 Vishay Sprague 2910(7227 公制) CAP TANT 10UF 20V 10% 2910
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引線 MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 69.8K OHM 1/8W 0.1% 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 2.15K OHM 1/10W 0.1% 0603
- 微調器 Bourns Inc. TRIMMER 100 OHM 0.1W SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0402(1005 公制) RES 634 OHM 1/16W 0.1% 0402
- 鉭 Vishay Sprague 2910(7227 公制) CAP TANT 10UF 25V 10% 2910
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 6.34K OHM 1/8W 0.1% 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 2.32K OHM 1/10W 0.1% 0603
- 微調器 Bourns Inc. TRIMMER 2K OHM 0.1W SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 160 OHM 1/8W 0.1% 0805
- 鉭 Vishay Sprague 2910(7227 公制) CAP TANT 10UF 25V 10% 2910
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引線 MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8