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SI5432DC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 10V; 功率_最大：6.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

SI5432DC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 10V; 功率_最大：6.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

SI5432DC-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8.3A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 10V; 功率_最大：6.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

SI5433BDC-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫歐 @ 4.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：剪切帶 (CT)

SI5433BDC-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫歐 @ 4.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：Digi-Reel®

SI5433BDC-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.8A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫歐 @ 4.8A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SMD，扁平引線; 供應商設備封裝：1206-8 ChipFET?; 包裝：帶卷 (TR)

SDL-109-G-12
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 18POS DUAL GOLD
SQCAEA330KAJME
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 33PF 150V 10% 0605
SI5433BDC-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
RT1206BRD0713K3L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 13.3K OHM 1/4W .1% SMD 1206
SI3460DDV-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
SFR2500001003FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 100K OHM METAL FILM .40W 1%
RT1206FRE0762RL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 62.0 OHM 1/4W 1% SMD 1206
SQCB7M680JATME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 68PF 500V 5% 1111
SDL-109-TT-10
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 18POS DUAL TIN
RT1206BRD0715R4L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 15.4 OHM 1/4W .1% SMD 1206
SI3460DDV-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP
SFR2500001053FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 105K OHM METL FILM .40W 1% T
RT1206FRE0763K4L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 63.4K OHM 1/4W 1% SMD 1206
SQCB7M680JATWE
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 68PF 500V 5% 1111
SDL-110-G-12
板至板 - 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 20POS DUAL GOLD

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