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SI4946BEY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 6.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 5.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 30V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4946BEY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 6.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 5.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 30V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4946BEY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 60V 6.5A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 5.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 30V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4946BEY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 5.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 30V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4946BEY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 5.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 30V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4946BEY-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 5.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：840pF @ 30V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

RZ-0515S/P
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 0.5W 05VIN 15VOUT
RT0805DRD0734K8L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 34.8K OHM 1/8W .5% SMD 0805
SI4943CDY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC
SR2-062
卡架 - 配件 Vector Electronics 徑向 RAIL FRAME LOC 2" ALUMINUM
SRS-1-155
電路板襯墊，支座 Bivar Inc 非標準 SCREW SPACER PVC .155X.25 #4 GY
RT0805CRD0716R9L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 16.9 OHM 1/8W .25% SMD 0805
SR151A180GAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 18PF 100V 2% RADIAL
RW0S6BBR075FET
芯片電阻 - 表面安裝 Ohmite 2010（5025 公制） RES .075 OHM .6W 2010 SMD
RZ-0515S-R
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 0.5W 05VIN 15VOUT
SRS-1-190
電路板襯墊，支座 Bivar Inc 非標準 PVC SCREW SPACER 0.19"
RT0805CRD07180KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 180K OHM 1/8W .25% SMD 0805
RTR-1S
插入，抽取 Emerson Network Power Connectivity Trompeter TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TOOL REMOVAL BNC/TRB PLUG R/A 6"
SR-2064W
鉚釘 Richco Plastic Co 徑向 SNAP RIVET WHT .173-.197"THICK
RW0S6BBR470FET
芯片電阻 - 表面安裝 Ohmite 2010（5025 公制） RES .47 OHM .6W 2010 SMD
RZ-1205S
DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模塊（6 引線） CONV DC/DC 0.5W 12VIN 05VOUT

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