SI4943BDY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 8.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI4943BDY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 8.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4943BDY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 8.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
SI4943BDY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫歐 @ 8.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4943CDY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19.2 毫歐 @ 8.3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1945pF @ 10V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4943CDY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET P-CH DUAL 20V 8A 8-SOIC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 P 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19.2 毫歐 @ 8.3A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：62nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1945pF @ 10V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP 110KHZ DUAL LP 8SOIC
- 斷路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 15A ROCKER 240VAC
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 40V 8-SOIC
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 STMicroelectronics 10-QFN IC SWITCH DUAL SPDT 10QFN
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP R-R 6.4MHZ 8SOIC
- 鉭 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 3.3UF 20V 10% 1410
- 鉭 Vishay Sprague 2910（7227 公制） CAP TANT 68UF 4V 20% 2910
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH DUAL 20V 6.3A 8-SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC OPAMP GP 110KHZ DUAL 8TSSOP
- IGBT - 單路 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB IGBT 10A C410V CLAMPED D2PAK
- 鉭 Vishay Sprague 1410（3727 公制） CAP TANT 3.3UF 20V 10% 1410
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP R-R 6.4MHZ 8SOIC
- 鉭 Vishay Sprague 2910（7227 公制） CAP TANT 68UF 4V 20% 2910
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP 110KHZ QUAD 14SOIC
- 斷路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 20A ROCKER 240VAC
010-62104931、 
0755-23919407 
