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SI4941EDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 10A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4941EDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 10A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4941EDY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CH DUAL 30V 10A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

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FET - 單 Vishay Siliconix SOT-563，SOT-666 MOSFET P-CH 30V 960MA SC89-6
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保險絲 Cooper Bussmann 徑向，盒式 FUSE 5A 250VAC RADIAL FAST
SMAJ30A-E3/61
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 400W 30V 5% SMA
RT8268GFP
PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Richtek USA Inc 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）裸焊盤 IC REG BUCK ADJ 2A 10MSOP
SSW-103-01-S-S
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 3POS SNGL GOLD
SM8S33HE3/2D
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-218AB TVS 8W 33V 10% DO-218AB
SI1072X-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix SOT-563，SOT-666 MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F