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SI4914BDY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 30V 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A，8A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.7W，3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4914BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 30V 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A，8A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.7W，3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4914BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 30V 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A，8A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.7W，3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4914BDY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 30V 8-SOIC; 系列：LITTLE FOOT®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.4A，8A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.7W，3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4914DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A，5.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W，1.16W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4914DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.5A，5.7A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.5nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W，1.16W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

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通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 562 OHM 1/4W .1% AXIAL
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配件 Freescale Semiconductor 196-LBGA ADAPTER BOARD FRDC
SI4914DY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
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芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 1/16W 15K OHM 0.1% 0603
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芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 9.53K OHM 1/8W 0.1% 1206
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通用嵌入式開(kāi)發(fā)板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等） Logic 60-XFQFN 裸露焊盤(pán) KIT DEV ZOOM FOR AM/DM37X
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通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 6.42K OHM 1/4W .1% AXIAL
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TVS - 變阻器，MOV TE Connectivity 圓盤(pán) 14mm VARISTOR 750V 14MM RADIAL
RNCS0603BKE182K
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 1/16W 182K OHM 0.1% 0603
RNCF1206BTT150K
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 150K OHM 1/8W 0.1% 1206
SDK-LH79520-10-3208
過(guò)時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào) Logic KIT DEV ZOOM STARTER FOR LH79520
RNF12FTD511R
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/2W 511 OHM 1% AXL
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通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 6.81K OHM 1/4W .1% AXIAL