SI4910DY-T1 全國供應商、價格、PDF資料
SI4910DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 7.6A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 20V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4910DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 7.6A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 20V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
SI4910DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 7.6A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 20V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI4910DY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 20V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI4910DY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 20V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
SI4910DY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 20V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
- TVS - 二極管 Microsemi Commercial Components Group 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） TVS ARRAY BIDIR 3.3 VWM SO-8
- FET - 單 Vishay Siliconix SOT-563，SOT-666 MOSFET N-CH D-S 8V SC-89-6
- 磁性 - 霍爾效應，數字式開關，線性，羅盤 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-243AA SENSOR HALL EFFECT LATCHING SMD
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power 10-SIP MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Richtek USA Inc 12-WFQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM 12WQFN
- 邏輯 - 專用邏輯 IDT, Integrated Device Technology Inc 56-VFQFN 裸露焊盤 IC REGISTER BUFF 13-26B 56VFQFPN
- TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA TVS 400W 28V BIDIRECT SMA
- TVS - 二極管 Microsemi Commercial Components Group 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） TVS ARRAY BIDIR 5.0 VWM SO-8
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power 10-SIP MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 磁性 - 霍爾效應，數字式開關，線性，羅盤 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-243AA SENSOR LATCHNG HALLEFFECT SENSOR
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Richtek USA Inc 12-WFQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM 12WQFN
- 邏輯 - 專用邏輯 NXP Semiconductors 56-VFQFN 裸露焊盤 IC BUFFER DDR 13BIT 56-HVQFN
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-218AB TVS DIODE 10V 6600W UNI DO218AB
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 400W 28V 10% SMA
13510131896 
0755-23919407 
