

SI4904DY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 40V 8A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫歐 @ 5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:85nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2390pF @ 20V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI4904DY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 40V 8A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫歐 @ 5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:85nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2390pF @ 20V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:Digi-Reel®
SI4904DY-T1-E3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 40V 8A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫歐 @ 5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:85nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2390pF @ 20V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
SI4904DY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫歐 @ 5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:85nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2390pF @ 20V
- 功率_最大:3.25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:剪切帶 (CT)
SI4904DY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫歐 @ 5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:85nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2390pF @ 20V
- 功率_最大:3.25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:Digi-Reel®
SI4904DY-T1-GE3詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:8A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫歐 @ 5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:85nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2390pF @ 20V
- 功率_最大:3.25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SOIC N
- 包裝:帶卷 (TR)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 499K OHM 1/8W 0.1% 1206
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 8.06K OHM 1/2W 1% 1206 SMD
- FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 3.92M OHM 1/2W 1% AXIAL
- 熱熔斷路器,斷路器 (TCO) Cantherm 軸向 THERMAL FUSE 216C 10A AXIAL
- TVS - 變阻器,MOV TE Connectivity 圓盤 14mm VARISTOR 300V 14MM RADIAL
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 25.5K OHM 1/4W .1% AXIAL
- 固定式 Signal Transformer 非標準 INDUCTOR SMD 6.00UH 9.60A 100KHZ
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 4.37K OHM 1/8W 0.1% 1206
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES MF 1/2W 3.3 OHM 1% AXL
- 熱熔斷路器,斷路器 (TCO) Cantherm 軸向 THERMAL CUTOUT 228C 10A AXIAL
- TVS - 變阻器,MOV TE Connectivity 圓盤 14mm VARISTOR 360V 14MM RADIAL T/R
- 通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 2.49K OHM 1/4W .1% AXIAL
- 固定式 Signal Transformer 非標準 INDUCTOR SMD 4.80UH 9.30A 100KHZ
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 5.11K OHM 1/8W 0.1% 1206