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<![CDATA[<sub id="sock1"><s id="sock1"></s></sub>]]>
SI4890BDY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1535pF @ 15V
- 功率_最大：5.7W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4890BDY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1535pF @ 15V
- 功率_最大：5.7W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
SI4890BDY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1535pF @ 15V
- 功率_最大：5.7W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI4890BDY-T1-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1535pF @ 15V
- 功率_最大：5.7W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4890DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI4890DY-T1-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 11A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：800mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
- 時鐘/計時 - 專用 Micrel Inc 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC CLK SYNTHESIZER LN 16-TSSOP
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power 10-SIP MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 邏輯 - 專用邏輯 IDT, Integrated Device Technology Inc 48-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC DDR REGISTER 48-TVSOP
- 磁性 - 霍爾效應，數字式開關，線性，羅盤 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-243AA SENSOR UNIPOLAR HALL-EFFECT
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 400W 26V 5% SMA
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Richtek USA Inc 16-WFQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM 16WQFN
- FET - 單 Vishay Siliconix SOT-563，SOT-666 MOSFET P-CH 12V 870MA SC89
- 時鐘/計時 - 專用 Micrel Inc 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC CLK SYNTHESIZER LN 20-TSSOP
- 保險絲 Cooper Bussmann 徑向，盒式 FUSE SLOW 250VAC 500MA RADIAL
- 邏輯 - 移位寄存器 NXP Semiconductors 48-TFSOP（0.240"，6.10mm 寬） IC REG DRIVER 14BIT SSTL 48TSSOP
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Richtek USA Inc 12-WFQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM 12WQFN
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 400W 26V 5% SMA
- FET - 單 Vishay Siliconix SC-75A MOSFET N-CH 20V 606MA SC75-3
- 時鐘/計時 - 專用 Micrel Inc 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC CLK SYNTHESIZER FIBRE 8-TSSOP
0755-83200050 
0755-23919407 
